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三級過濾四極質(zhì)譜儀

產(chǎn)品概述: 質(zhì)譜儀

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3F/PIC快速反應(yīng)質(zhì)譜儀

3F/IDP?離子脫附分析質(zhì)譜儀

PIC是帶脈沖離子計數(shù)檢測器的3F質(zhì)譜儀,,具有高靈敏度,

Hiden ?IDP是三級過濾質(zhì)譜/能量分析儀,,用于研究ESD,、PSD

快速測量的特點,。

UHV-TPD中釋放的低能量粒子。是電子,、光子激發(fā)脫附

●?UHV TPD

研究中,,進行離子、中性粒子,、自由基的質(zhì)量,、能量

分析的質(zhì)譜。

●?表面科學(xué),,單晶格研究

●?釋出組分的快速質(zhì)量,、能量監(jiān)測

●?分子束研究

●?光致解吸研究

●?選通輸入分析,進行瞬時/TOF?研究

特點:

●?用表觀勢能譜,,分析母體和自由基

●?質(zhì)量數(shù):12500amu

●?ESDPAS閾值,離子能量分布

●?脈沖離子計數(shù)器

●?正,、負(fù)離子譜,鍵角信息

●?增強的抗污染能力

●?泄漏探測/?實際泄漏分析/脫附研究

●?測量速度:500/

●?4透鏡離子光學(xué)系統(tǒng)/電子轟擊離子源

●?動態(tài)范圍:10-7

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●?信號選通1μs分辨率

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3F/EPIC質(zhì)譜儀

IMP刻蝕終點檢測儀

EPIC是帶脈沖離子計數(shù),、四極桿偏壓(Pulse Ion Counting and

IMP是自帶差式泵,,簡潔的二次離子質(zhì)譜儀,適于分析離

Pole Bias Control)控制的3F質(zhì)譜儀,,用于高精密科學(xué)分析,、

子刻蝕過程中的二次離子和中子。是專業(yè)檢測刻蝕終點的

過程研究以及中性粒子,、自由基,、離子的UHV分析。

儀器,,用于離子刻蝕控制以及優(yōu)化工藝質(zhì)量,。

●?中性粒子、自由基,,正,、負(fù)離子

●?終點分析

●?電子附著研究

●?靶污染檢測

●?表面科學(xué)

●?質(zhì)量控制/SPC

●?分子束研究

●?殘余氣體分析

●?UHV TPD

特點:

特點:

●?高靈敏度的?SIMS/MS,帶脈沖離子計數(shù)檢測器

●?質(zhì)量數(shù)范圍可選至2500amu

●?三級過四極質(zhì)譜儀,,標(biāo)準(zhǔn)配置為300amu

●?離子能量分布掃描±100eV1000eV可選)

●?離子光學(xué)器件,,帶能量分析器和完整的離子源

●?當(dāng)分析能量(或質(zhì)量)分布變化與時間的關(guān)系,或進行

●?真空規(guī)提供過壓保護

TOF研究時,,信號選通分辨率為1μs

●?穩(wěn)定性好:超過24h,,峰高變化小于±0.5%

●?可升級至等離子體分析或SIMS分析儀

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